级单晶二硫化钼薄膜在柔性基底上的高质量集成，将单晶二维半导体转移集成技术从“湿法”推进到“干法”路线，为突破长期制约高性能柔性电子发展的技术瓶颈提供了新路径。相关研究成果日前发表于《自然·电子》期刊。（科技日报）原文链接
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发布时间：12:29:07
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